12月25日，俄罗斯以 G.I. Budker SB RAS 命名的核物理研究所发表文章成功创建了尖点离子源的原型，即具有尖状磁场结构。
在过去的三十年里，微电子工业的蓬勃发展离不开注入机技术的推动。离子注入机作为关键设备，通过将各种杂质(如硼、氟、砷等)的合金添加剂引入到硅晶片表面，创建出具有指定特征的结构。而离子源作为离子注入机的核心部件之一，其性能直接决定了注入机的效率和质量。
BINP SB RAS在离子源研发方面拥有丰富的经验，曾成功开发出多种类型的离子源，不仅应用于半导体工业，还涉及等离子体物理、加速器质谱方法等多个领域。此次创建的尖点离子源，具有尖状磁场结构，实验证明，该设备能够使用任何宽度的带状离子束，确保杂质的高质量沉积，非常适合创建微电子学所需的高电流注入机。
据BINP SB RAS首席研究员、物理和数学科学候选人谢尔盖·康斯坦丁诺夫介绍，尖点离子源的设计灵感来源于将改进的潘宁陷阱与磁约束系统相结合的想法，这一创新设计使得束流可以扩展到几米，同时保持约10 mA/cm的线性电流密度。与现有的Freeman和Bernas离子源相比，尖点离子源无需外部磁场，大大减轻了设备的重量和复杂性。
为了验证尖点离子源的性能，BINP SB RAS的专家们开发并制造了一种测量装置——轮廓仪，并于2024年12月2日用氩离子束进行了测量。实验结果显示，沿着狭缝的发射是均匀的，这标志着开发具有任何宽度的带状束的源成为可能。目前，尖点离子源在6 kV的提取电势下已能产生约20 mA的电流，性能表现优异。
此外，BINP SB RAS还于2024年创建了注入机离子源青年实验室，旨在联合等离子体物理、加速器物理和电力电子领域的专家，共同推动注入机技术的发展。实验室的首批项目已与Zelenograd企业(JSC NIITM和JSC NIIME)合作实施，将BINP SB RAS的注入离子源应用于现代家用离子注入机的开发。
俄罗斯科学院核物理研究所首席研究员 博士谢尔盖·康斯坦丁诺夫 (Sergei Konstantinov) 在尖点离子源旁边。摄影：T. Morozova
谢尔盖·康斯坦丁诺夫表示，尖点离子源的进一步发展方向将取决于离子束的具体所需参数。在高压注入机中，如BINP正在开发的注入机，离子能量约为1 MeV，当离子电流极高(在这种能量下可能破坏硅晶片)时，尖点离子源将无需使用外部磁铁。
